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TSM250NB06DCR RLG

Taiwan Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
TSM250NB06DCR RLG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 7A(Ta),30A(Tc) 2W(Ta),48W(Tc) 表面贴装型 8-PDFN(5x6)
规格说明书:
TSM250NB06DCR RLG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7A(Ta),30A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1461pF @ 30V
功率 - 最大值 2W(Ta),48W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-PDFN(5x6)
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥23.811675 ¥23.81
10+ ¥21.41113 ¥214.11
100+ ¥17.211544 ¥1721.15
500+ ¥14.141286 ¥7070.64
1000+ ¥11.717043 ¥11717.04
2500+ ¥11.019186 ¥27547.97

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