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STP310N10F7
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STP310N10F7
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- 描述：
- MOSFET N CH 100V 180A TO-220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 100 V 180A（Tc） 315W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- STP310N10F7说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.7 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 180 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12800 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 315W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDP036N10A | onsemi | ¥44.77000 | 类似 |
| FDP032N08B-F102 | onsemi | ¥23.42000 | 类似 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥34.993997 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥58.251275 | ￥58.25 |
| 10+ | ￥52.355277 | ￥523.55 |
| 100+ | ￥42.893081 | ￥4289.31 |
| 500+ | ￥36.51364 | ￥18256.82 |
| 1000+ | ￥34.993997 | ￥34994.00 |
