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FCB199N65S3

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制造商编号:
FCB199N65S3
制造商:
ON安森美
系列:
SuperFET® III
描述:
MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 14A(Tc) 98W(Tc) D²PAK(TO-263)
规格说明书:
FCB199N65S3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 SuperFET® III
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 199 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1225 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 98W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
AOB20S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥26.03000 类似
STB28NM60ND STMicroelectronics ¥68.04000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥13.787387 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥25.588287 ¥25.59
10+ ¥22.964804 ¥229.65
100+ ¥18.459251 ¥1845.93
800+ ¥15.166083 ¥12132.87
1600+ ¥13.787387 ¥22059.82

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