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SI7655ADN-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SI7655ADN-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
详细描述:
表面贴装型 P 通道 20 V 40A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK® 1212-8S
规格说明书:
SI7655ADN-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 225 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6600 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 4.8W(Ta),57W(Tc)
工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8S
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8S
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥8.491957 ¥8.49
10+ ¥7.554992 ¥75.55
100+ ¥5.891252 ¥589.13
500+ ¥4.866541 ¥2433.27
1000+ ¥3.842012 ¥3842.01
3000+ ¥3.842012 ¥11526.04

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