SIHH11N65EF-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SIHH11N65EF-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 650 V 11A(Tc) 130W(Tc) PowerPAK® 8 x 8
- 规格说明书:
- SIHH11N65EF-T1-GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 382毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 70 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1243 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 130W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerPAK® 8 x 8 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥41.673282 | ¥41.67 |
10+ | ¥37.456939 | ¥374.57 |
100+ | ¥30.692326 | ¥3069.23 |
500+ | ¥26.128122 | ¥13064.06 |
1000+ | ¥23.609761 | ¥23609.76 |
3000+ | ¥22.922072 | ¥68766.22 |