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APTM20DHM16T3G

Microsemi photo

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制造商编号:
APTM20DHM16T3G
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
POWER MOS 7®
描述:
MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 200V 104A 390W 底座安装 SP3
规格说明书:
APTM20DHM16T3G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 POWER MOS 7®
包装 散装
零件状态 停产
FET 类型 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 104A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 19 毫欧 @ 52A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7220pF @ 25V
功率 - 最大值 390W
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP3
供应商器件封装 SP3
标准包装 1

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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥0 总价:¥0.00
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