在线客服 
STGWT80H65DFB
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STGWT80H65DFB
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 469 W 通孔 TO-3P
- 规格说明书：
- STGWT80H65DFB说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 120 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，80A |
| 功率 - 最大值 | 469 W |
| 开关能量 | 2.1mJ（开），1.5mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 414 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 84ns/280ns |
| 测试条件 | 400V，80A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 85 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXXH60N65B4 | IXYS | ¥59.29000 | 类似 |
| IXXH60N65B4H1 | IXYS | ¥95.53000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥49.368857 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 300+ | ￥49.368857 | ￥14810.66 |
