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APT75GN60B2DQ3G
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- 制造商编号：
- APT75GN60B2DQ3G
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT 600V 155A 536W TO264
- 详细描述：
- IGBT - 600 V 155 A 536 W 通孔 -
- 规格说明书：
- APT75GN60B2DQ3G说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi(美高森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 155 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 225 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 1.85V @ 15V，75A |
| 功率 - 最大值 | 536 W |
| 开关能量 | 2500µJ（开），2140µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 485 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 47ns/385ns |
| 测试条件 | 400V，75A，1 欧姆，15V |
| 工作温度 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商器件封装 | - |
| 标准包装 | 30 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
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