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SI5511DC-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI5511DC-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4A，3.6A 3.1W，2.6W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™
- 规格说明书：
- SI5511DC-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A，3.6A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.1nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 435pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3.1W，2.6W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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