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1N5230A (DO-35)

Microsemi photo

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制造商编号:
1N5230A (DO-35)
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
详细描述:
二极管 - 齐纳 4.7 V 500 mW ±10% 通孔 DO-35
规格说明书:
1N5230A (DO-35)说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 4.7 V
容差 ±10%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 19 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 50 µA @ 1.9 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.5 V @ 200 mA
工作温度 -65°C ~ 175°C
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装 DO-35
标准包装 1

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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥0 总价:¥0.00
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