您好,欢迎来到壹方微芯!

DMN21D2UFB-7B

Diodes photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
DMN21D2UFB-7B
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
详细描述:
表面贴装型 N 通道 20 V 760mA(Ta) 380mW(Ta) X1-DFN1006-3
规格说明书:
DMN21D2UFB-7B说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 760mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 990 毫欧 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.93 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 27.6 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 380mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 X1-DFN1006-3
封装/外壳 3-UFDFN
标准包装 10,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
10,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥3.590559 ¥3.59
10+ ¥2.704888 ¥27.05
100+ ¥1.683345 ¥168.33
500+ ¥1.151646 ¥575.82
1000+ ¥0.885876 ¥885.88
2000+ ¥0.797298 ¥1594.60
5000+ ¥0.752992 ¥3764.96
10000+ ¥0.68656 ¥6865.60

相关产品