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SI6926ADQ-T1-E3

Vishay photo

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制造商编号:
SI6926ADQ-T1-E3
制造商:
Vishay威世
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 4.1A 830mW 表面贴装型 8-TSSOP
规格说明书:
SI6926ADQ-T1-E3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 830mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装 8-TSSOP
标准包装 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated ¥3.46000 类似

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货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥8.845314 ¥8.85
10+ ¥7.939125 ¥79.39
100+ ¥6.189782 ¥618.98
500+ ¥5.113572 ¥2556.79
1000+ ¥4.037042 ¥4037.04
3000+ ¥4.036985 ¥12110.95

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