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SI8457DB-T1-E1

Vishay photo

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制造商编号:
SI8457DB-T1-E1
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
详细描述:
表面贴装型 P 通道 12 V 6.5A(Ta) 1.1W(Ta),2.7W(Tc) 4-MICRO FOOT®(1.6x1.6)
规格说明书:
SI8457DB-T1-E1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 19 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 93 nC @ 8 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2900 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.1W(Ta),2.7W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 4-MICRO FOOT®(1.6x1.6)
封装/外壳 4-UFBGA
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.063923 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.017848 ¥6.02
10+ ¥5.156201 ¥51.56
100+ ¥3.85279 ¥385.28
500+ ¥3.027077 ¥1513.54
1000+ ¥2.339103 ¥2339.10
3000+ ¥2.132705 ¥6398.11
6000+ ¥2.063923 ¥12383.54

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