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TK8Q65W,S1Q

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制造商编号:
TK8Q65W,S1Q
制造商:
Toshiba东芝
系列:
DTMOSIV
描述:
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 7.8A(Ta) 80W(Tc) I-Pak
规格说明书:
TK8Q65W,S1Q说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 DTMOSIV
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 670 毫欧 @ 3.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 570 pF @ 300 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 80W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-Pak
封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak
标准包装 75

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
75 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥14.350837 ¥14.35

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