在线客服 
SI2319DDS-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI2319DDS-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen III
- 描述：
- MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 40 V 2.7A（Ta），3.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
- 规格说明书：
- SI2319DDS-T1-GE3说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen III |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta），3.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 650 pF @ 20 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.548041 | ￥4.55 |
| 10+ | ￥3.904021 | ￥39.04 |
| 100+ | ￥2.911658 | ￥291.17 |
| 500+ | ￥2.287973 | ￥1143.99 |
| 1000+ | ￥1.767968 | ￥1767.97 |
| 3000+ | ￥1.611979 | ￥4835.94 |
| 6000+ | ￥1.559978 | ￥9359.87 |
