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TPH3208PD

Transphorm photo

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制造商编号:
TPH3208PD
制造商:
Transphorm
系列:
-
描述:
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 20A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
规格说明书:
TPH3208PD说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Transphorm
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 130 毫欧 @ 13A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 14 nC @ 8 V
Vgs(最大值) ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 760 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 96W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

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型号 品牌 参考价格 说明
STP33N60DM2 STMicroelectronics ¥41.93000 类似

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标准包装
50 / PCS
包装
管件
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1+ ¥89.991947 ¥89.99
10+ ¥81.305074 ¥813.05

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