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NTMD3P03R2G

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制造商编号:
NTMD3P03R2G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 2.34A 730mW 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
NTMD3P03R2G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.34A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 85 毫欧 @ 3.05A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 750pF @ 24V
功率 - 最大值 730mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥5.534331 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥11.463752 ¥11.46
10+ ¥10.265155 ¥102.65
100+ ¥8.000754 ¥800.08
500+ ¥6.609512 ¥3304.76
1000+ ¥5.534344 ¥5534.34
2500+ ¥5.534331 ¥13835.83

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