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SI3586DV-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI3586DV-T1-E3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 2.9A，2.1A 830mW 表面贴装型 6-TSOP
- 规格说明书：
- SI3586DV-T1-E3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A，2.1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 830mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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