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TSM60NB099CZ C0G
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- 制造商编号：
- TSM60NB099CZ C0G
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 38A（Tc） 298W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- TSM60NB099CZ C0G说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 99 毫欧 @ 11.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 62 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2587 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 298W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 2,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥42.01000 | 类似 |
| TK25E60X,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥32.26000 | 类似 |
| STP30N65M5 | STMicroelectronics | ¥52.68000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥118.70502 | ￥118.71 |
| 10+ | ￥109.127917 | ￥1091.28 |
| 100+ | ￥92.167256 | ￥9216.73 |
| 500+ | ￥81.989264 | ￥40994.63 |
| 1000+ | ￥77.105887 | ￥77105.89 |
