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IXTT110N10L2
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- 制造商编号：
- IXTT110N10L2
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Linear L2™
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 110A TO268
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 110A（Tc） 600W（Tc） TO-268AA
- 规格说明书：
- IXTT110N10L2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Linear L2™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 55A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 260 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10500 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 600W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-268AA |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
| 标准包装 | 30 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥130.543931 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥201.001093 | ￥201.00 |
| 10+ | ￥184.764094 | ￥1847.64 |
| 100+ | ￥156.043293 | ￥15604.33 |
| 500+ | ￥138.811633 | ￥69405.82 |
| 1000+ | ￥130.543931 | ￥130543.93 |
