IXFH16N60P3
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- 制造商编号:
- IXFH16N60P3
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- HiPerFET™, Polar3™
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 16A TO247
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 600 V 16A(Tc) 347W(Tc) TO-247(IXTH)
- 规格说明书:
- IXFH16N60P3说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | HiPerFET™, Polar3™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 470 毫欧 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1.5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 36 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1830 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 347W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247(IXTH) |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STW13N80K5 | STMicroelectronics | ¥39.47000 | 类似 |
APT11N80BC3G | Microchip Technology | ¥35.63000 | 类似 |
IRFPC50APBF | Vishay Siliconix | ¥33.94000 | 类似 |
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- 管件
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