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SQV120N06-4M7L_GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SQV120N06-4M7L_GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
描述:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:
通孔 N 通道 60 V 120A(Tc) 250W(Tc) TO-262
规格说明书:
SQV120N06-4M7L_GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装 卷带(TR)
零件状态 最后售卖
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.7 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 230 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 8800 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-262
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装 500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥17.784257 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
500+ ¥17.784257 ¥8892.13

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