APTM20DAM10TG
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- 制造商编号:
- APTM20DAM10TG
- 制造商:
- Microsemi美高森美
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 200V 175A SP4
- 详细描述:
- 底座安装 N 通道 200 V 175A(Tc) 694W(Tc) SP4
- 规格说明书:
- APTM20DAM10TG说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Microsemi(美高森美) |
系列 | - |
包装 | 散装 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 175A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12 毫欧 @ 87.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 224 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13700 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 694W(Tc) |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 |
供应商器件封装 | SP4 |
封装/外壳 | SP4 |
标准包装 | 1 |
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- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 散装
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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