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TK12E60W,S1VX
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- 制造商编号：
- TK12E60W,S1VX
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- DTMOSIV
- 描述：
- MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 11.5A（Ta） 110W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- TK12E60W,S1VX说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | DTMOSIV |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 300 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 600µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 890 pF @ 300 V |
| FET 功能 | 超级结 |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FCP11N60N | onsemi | ¥25.65000 | 类似 |
| FCPF11N60 | onsemi | ¥18.35000 | 类似 |
| FCP380N60 | onsemi | ¥16.28000 | 类似 |
| SIHP15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | ¥23.73000 | 类似 |
| IXFP22N60P3 | IXYS | ¥42.39000 | 类似 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥23.831053 | ￥1191.55 |
