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IPP80N06S2L07AKSA2
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- 制造商编号：
- IPP80N06S2L07AKSA2
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 55 V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
- 规格说明书：
- IPP80N06S2L07AKSA2说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 130 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3160 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 210W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3-1 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TK4R3E06PL,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥10.98000 | 类似 |
| IXTP120N075T2 | IXYS | ¥30.33000 | 类似 |
| PSMN7R6-60PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥15.74000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥17.59988 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥31.133659 | ￥31.13 |
| 10+ | ￥27.986723 | ￥279.87 |
| 100+ | ￥22.492577 | ￥2249.26 |
| 500+ | ￥18.479866 | ￥9239.93 |
| 1000+ | ￥17.59988 | ￥17599.88 |
