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SIHB22N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHB22N60E-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 21A（Tc） 227W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- SIHB22N60E-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1920 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 227W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STB21N65M5 | STMicroelectronics | ¥38.48000 | 类似 |
| R6024ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥26.65000 | 类似 |
| STB30N65M5 | STMicroelectronics | ¥50.46000 | 类似 |
| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥21.73000 | 类似 |
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | ¥35.10000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥23.318477 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥41.155117 | ￥41.16 |
| 10+ | ￥37.002304 | ￥370.02 |
| 100+ | ￥30.314038 | ￥3031.40 |
| 500+ | ￥25.805775 | ￥12902.89 |
| 1000+ | ￥23.318477 | ￥23318.48 |
