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SI1965DH-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI1965DH-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 12V 1.3A 1.25W 表面贴装型 SC-70-6
- 规格说明书：
- SI1965DH-T1-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 390 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.2nC @ 8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 120pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥1.733066 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.060463 | ￥5.06 |
| 10+ | ￥4.335586 | ￥43.36 |
| 100+ | ￥3.235091 | ￥323.51 |
| 500+ | ￥2.54182 | ￥1270.91 |
| 1000+ | ￥1.964131 | ￥1964.13 |
| 3000+ | ￥1.790832 | ￥5372.50 |
| 6000+ | ￥1.733066 | ￥10398.40 |
