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IXFP10N60P
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- 制造商编号：
- IXFP10N60P
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Polar
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 200W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- IXFP10N60P说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Polar |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 740 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1610 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥19.930205 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥38.767871 | ￥38.77 |
| 10+ | ￥34.785399 | ￥347.85 |
| 100+ | ￥28.500478 | ￥2850.05 |
| 500+ | ￥24.261725 | ￥12130.86 |
| 1000+ | ￥20.461677 | ￥20461.68 |
| 2000+ | ￥19.930205 | ￥39860.41 |
