您好,欢迎来到壹方微芯!

APTGT50SK120D1G

Microsemi photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
APTGT50SK120D1G
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 1200V 75A 270W D1
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 单路 1200 V 75 A 270 W 底座安装 D1
规格说明书:
APTGT50SK120D1G说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 Digi-Key 停止提供
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 单路
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 75 A
功率 - 最大值 270 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值) 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 3.6 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -
安装类型 底座安装
封装/外壳 D1
供应商器件封装 D1
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
暂无报价

相关产品