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SPD09P06PL

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制造商编号:
SPD09P06PL
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
SIPMOS®
描述:
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
详细描述:
表面贴装型 P 通道 60 V 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
规格说明书:
SPD09P06PL说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 SIPMOS®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 Digi-Key 停止提供
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 250 毫欧 @ 6.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 21 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 450 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 42W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

价格库存

库存
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货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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