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IPD60R180C7ATMA1

Infineon photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IPD60R180C7ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolMOS™ C7
描述:
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 13A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
规格说明书:
IPD60R180C7ATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolMOS™ C7
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 5.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 260µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1080 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 68W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥22.083885 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥35.137269 ¥35.14
10+ ¥31.538994 ¥315.39
100+ ¥25.838326 ¥2583.83
500+ ¥22.083885 ¥11041.94
2500+ ¥22.083885 ¥55209.71

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