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FCH040N65S3-F155
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- 制造商编号：
- FCH040N65S3-F155
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- SuperFET® III
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 65A（Tc） 417W（Tc） TO-247-3
- 规格说明书：
- FCH040N65S3-F155说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | SuperFET® III |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 65A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 6.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 136 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4740 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 417W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 450 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TSM60NB041PW C1G | Taiwan Semiconductor Corporation | ¥90.00000 | 类似 |
| APT77N60BC6 | Microchip Technology | ¥96.92000 | 类似 |
| IXKH70N60C5 | IXYS | ¥165.19000 | 类似 |
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥108.44000 | 类似 |
| SCT3030ALGC11 | Rohm Semiconductor | ¥208.65000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 450 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥65.357707 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥97.777594 | ￥97.78 |
| 10+ | ￥88.324351 | ￥883.24 |
| 100+ | ￥73.12568 | ￥7312.57 |
| 500+ | ￥65.357707 | ￥32678.85 |
