DDA123JU-7-F
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图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- DDA123JU-7-F
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
- 详细描述:
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装型 SOT-363
- 规格说明书:
- DDA123JU-7-F说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
RN2962(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥3.76000 | 类似 |
MUN5135DW1T1G | onsemi | ¥2.15000 | 类似 |
NSVMUN5111DW1T3G | onsemi | ¥3.15000 | 类似 |
NSVMUN5135DW1T1G | onsemi | ¥3.15000 | 直接 |
RN2902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥2.23000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥3.49937 | ¥3.50 |
10+ | ¥2.880426 | ¥28.80 |
100+ | ¥1.528438 | ¥152.84 |
500+ | ¥1.005676 | ¥502.84 |
1000+ | ¥0.68387 | ¥683.87 |
3000+ | ¥0.616778 | ¥1850.33 |
6000+ | ¥0.53635 | ¥3218.10 |
15000+ | ¥0.455898 | ¥6838.47 |
30000+ | ¥0.429077 | ¥12872.31 |
75000+ | ¥0.402257 | ¥30169.27 |