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SQ4949EY-T1_GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SQ4949EY-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
描述:
MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 7.5A(Tc) 3.3W 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
SQ4949EY-T1_GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 35 毫欧 @ 5.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1020pF @ 25V
功率 - 最大值 3.3W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥8.189843 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥16.138774 ¥16.14
10+ ¥14.466459 ¥144.66
100+ ¥11.629615 ¥1162.96
500+ ¥9.55485 ¥4777.43
1000+ ¥8.189831 ¥8189.83
2500+ ¥8.189843 ¥20474.61

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