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PHB45NQ10T,118
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- PHB45NQ10T,118
- 制造商：
- Nexperia安世
- 系列：
- TrenchMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 47A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
- 规格说明书：
- PHB45NQ10T,118说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Nexperia(安世) |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 47A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 61 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2600 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RSJ400N10TL | Rohm Semiconductor | ¥26.88000 | 类似 |
| FQB44N10TM | onsemi | ¥14.67000 | 类似 |
| FDB150N10 | onsemi | ¥32.02000 | 类似 |
| NTB6413ANT4G | onsemi | ¥16.82000 | 类似 |
| FDB86102LZ | onsemi | ¥13.21000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.50825 | ￥17.51 |
| 10+ | ￥15.71297 | ￥157.13 |
| 100+ | ￥12.629877 | ￥1262.99 |
| 800+ | ￥10.376773 | ￥8301.42 |
| 1600+ | ￥8.894396 | ￥14231.03 |
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