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STT6N3LLH6

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制造商编号:
STT6N3LLH6
制造商:
ST意法半导体
系列:
DeepGATE™, STripFET™ VI
描述:
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 6A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
规格说明书:
STT6N3LLH6说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 DeepGATE™, STripFET™ VI
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 283 pF @ 24 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.6W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-6
封装/外壳 SOT-23-6
标准包装 3,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated ¥4.07000 类似
AO6400 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥3.99000 类似
FDC855N onsemi ¥5.45000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥3.213344 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥7.547177 ¥7.55
10+ ¥6.664394 ¥66.64
100+ ¥5.110322 ¥511.03
500+ ¥4.039617 ¥2019.81
1000+ ¥3.231709 ¥3231.71
3000+ ¥3.213344 ¥9640.03

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