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MII150-12A4
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- 制造商编号：
- MII150-12A4
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB
- 详细描述：
- IGBT 模块 NPT 半桥 1200 V 180 A 760 W 底座安装 Y3-DCB
- 规格说明书：
- MII150-12A4说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | - |
| 包装 | 盒 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | NPT |
| 配置 | 半桥 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 180 A |
| 功率 - 最大值 | 760 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.7V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 7.5 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 6.6 nF @ 25 V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | Y3-DCB |
| 供应商器件封装 | Y3-DCB |
| 标准包装 | 2 |
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- 标准包装
- 2 / PCS
- 包装
- 盒
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 2+ | ￥1213.004816 | ￥2426.01 |
