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FQI12N60TU
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- 制造商编号：
- FQI12N60TU
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- QFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 10.5A（Tc） 3.13W（Ta），180W（Tc） I2PAK（TO-262）
- 规格说明书：
- FQI12N60TU说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | QFET® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 700 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 54 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1900 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.13W（Ta），180W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | I2PAK（TO-262） |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
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