RN2911FE(TE85L,F)
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- 制造商编号:
- RN2911FE(TE85L,F)
- 制造商:
- Toshiba东芝
- 系列:
- -
- 描述:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- 详细描述:
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装型 ES6
- 规格说明书:
- RN2911FE(TE85L,F)说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Toshiba(东芝) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | - |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 100mW |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | ES6 |
标准包装 | 4,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
DDA114TH-7 | Diodes Incorporated | ¥3.99000 | 类似 |
NSBA114TDXV6T5G | Flip Electronics | ¥0.31636 | 类似 |
NSBA114TDXV6T1G | onsemi | ¥0.31636 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥0.444028 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥3.431665 | ¥3.43 |
10+ | ¥2.587426 | ¥25.87 |
100+ | ¥1.463804 | ¥146.38 |
500+ | ¥0.969595 | ¥484.80 |
1000+ | ¥0.743378 | ¥743.38 |
2000+ | ¥0.646372 | ¥1292.74 |
4000+ | ¥0.62756 | ¥2510.24 |
8000+ | ¥0.564795 | ¥4518.36 |
12000+ | ¥0.502043 | ¥6024.52 |
28000+ | ¥0.470673 | ¥13178.84 |
100000+ | ¥0.444028 | ¥44402.80 |