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TPS1120DR
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- 制造商编号：
- TPS1120DR
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 15V 1.17A 840mW 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书：
- TPS1120DR说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 15V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.17A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.45nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 840mW |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.263634 | ￥19.26 |
| 10+ | ￥17.324732 | ￥173.25 |
| 100+ | ￥13.926809 | ￥1392.68 |
| 500+ | ￥11.442279 | ￥5721.14 |
| 1000+ | ￥10.402032 | ￥10402.03 |
| 2500+ | ￥10.402009 | ￥26005.02 |
