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CSD19535KTT

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制造商编号:
CSD19535KTT
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 200A(Ta) 300W(Tc) DDPAK/TO-263-3
规格说明书:
CSD19535KTT说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.4 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 98 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7930 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DDPAK/TO-263-3
封装/外壳 TO-263-4,D²Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA
标准包装 500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥32.919157 ¥32.92
10+ ¥29.545171 ¥295.45
100+ ¥24.204129 ¥2420.41
500+ ¥20.604634 ¥10302.32
1000+ ¥19.747003 ¥19747.00

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