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IRF7353D1PBF

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制造商编号:
IRF7353D1PBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
FETKY™
描述:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
规格说明书:
IRF7353D1PBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 FETKY™
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 32 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 33 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 650 pF @ 25 V
FET 功能 肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装 95

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标准包装
95 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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