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RGTH80TK65GC11

Rohm Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
RGTH80TK65GC11
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
IGBT
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 31 A 66 W 通孔 TO-3PFM
规格说明书:
RGTH80TK65GC11说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 31 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,40A
功率 - 最大值 66 W
开关能量 -
输入类型 标准
栅极电荷 79 nC
25°C 时 Td(开/关)值 34ns/120ns
测试条件 400V,40A,10 欧姆,15V
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装 TO-3PFM
标准包装 450

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
450 / PCS
包装
管件
单价:¥26.941234 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥50.418126 ¥50.42
10+ ¥45.307929 ¥453.08
100+ ¥37.124775 ¥3712.48
500+ ¥31.603773 ¥15801.89
1000+ ¥26.941234 ¥26941.23

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