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IGD15N65T6ARMA1

Infineon photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IGD15N65T6ARMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
TrenchStop™
描述:
IGD15N65T6ARMA1
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 100 W 表面贴装型 PG-TO252-3
规格说明书:
IGD15N65T6ARMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 TrenchStop™
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 不适用于新设计
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 57.5 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.9V @ 15V,11.5A
功率 - 最大值 100 W
开关能量 230µJ(开),110µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 37 nC
25°C 时 Td(开/关)值 30ns/117ns
测试条件 400V,11.5A,47 欧姆,15V
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥6.823668 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥12.980647 ¥12.98
10+ ¥11.573167 ¥115.73
100+ ¥9.024658 ¥902.47
500+ ¥7.454845 ¥3727.42
1000+ ¥6.823668 ¥6823.67
3000+ ¥6.823668 ¥20471.00

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