SI4850EY-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI4850EY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 60 V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
- 规格说明书:
- SI4850EY-T1-GE3说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 22 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 27 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.7W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥16.197411 | ¥16.20 |
10+ | ¥14.549173 | ¥145.49 |
100+ | ¥11.690632 | ¥1169.06 |
500+ | ¥9.604939 | ¥4802.47 |
1000+ | ¥8.232878 | ¥8232.88 |
2500+ | ¥8.232878 | ¥20582.19 |