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BZD17C11P M2G

Taiwan Semiconductor photo

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制造商编号:
BZD17C11P M2G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
DIODE ZENER 11V 800MW SUB SMA
详细描述:
二极管 - 齐纳 11 V 800 mW ±5.45% 表面贴装型 Sub SMA
规格说明书:
BZD17C11P M2G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 11 V
容差 ±5.45%
功率 - 最大值 800 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 4 µA @ 8.2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.2 V @ 200 mA
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 DO-219AB
供应商器件封装 Sub SMA
标准包装 7,500

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型号 品牌 参考价格 说明
BZD27C11P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥4.38000 类似

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标准包装
7,500 / PCS
包装
卷带(TR)
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