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TSM8N80CI C0G
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TSM8N80CI C0G
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 40.3W（Tc） ITO-220AB
- 规格说明书：
- TSM8N80CI C0G说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.05 欧姆 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 41 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1921 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 40.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | ITO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 标准包装 | 2,000 |
价格库存
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- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥15.942448 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥25.488819 | ￥25.49 |
| 10+ | ￥22.859118 | ￥228.59 |
| 100+ | ￥18.727567 | ￥1872.76 |
| 500+ | ￥15.942448 | ￥7971.22 |
