DMN62D1LFD-13
![Diodes photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Diodes Incorporated.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Diodes/wkpA0jHS.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Diodes/wkpA0jHS.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- DMN62D1LFD-13
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 60 V 400mA(Ta) 500mW(Ta) X1-DFN1212-3
- 规格说明书:
- DMN62D1LFD-13说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2 欧姆 @ 100mA,4V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.55 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 36 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | X1-DFN1212-3 |
封装/外壳 | 3-UDFN |
标准包装 | 10,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 10,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
10000+ | ¥0.611637 | ¥6116.37 |