APTM100TDU35PG
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- 制造商编号:
- APTM100TDU35PG
- 制造商:
- Microsemi美高森美
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 6 N-沟道(3 相桥) 1000V(1kV) 22A 390W 底座安装 SP6-P
- 规格说明书:
- APTM100TDU35PG说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Microsemi(美高森美) |
系列 | - |
包装 | 散装 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | 6 N-沟道(3 相桥) |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 420 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 2.5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 186nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5200pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 390W |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SP6 |
供应商器件封装 | SP6-P |
标准包装 | 1 |
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- 包装
- 散装
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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