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IXTH16N10D2

IXYS photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IXTH16N10D2
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Depletion
描述:
MOSFET N-CH 100V 16A TO247
详细描述:
通孔 N 通道 100 V 16A(Tc) 830W(Tc) TO-247(IXTH)
规格说明书:
IXTH16N10D2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Depletion
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 64 毫欧 @ 8A,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 225 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5700 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 830W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247(IXTH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

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型号 品牌 参考价格 说明
IRFP140NPBF Infineon Technologies ¥18.51000 类似

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标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥106.627685 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥158.217178 ¥158.22
10+ ¥145.424278 ¥1454.24
25+ ¥139.397229 ¥3484.93
100+ ¥122.821043 ¥12282.10
250+ ¥116.79285 ¥29198.21
500+ ¥109.257932 ¥54628.97
1000+ ¥106.627685 ¥106627.68

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